型号:ZXMN6A11DN8TA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 120 毫欧 @ 2.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 330pF @ 40V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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